電容式電壓互感器超標原因分析 （介質損耗測試儀解決）

　　試驗分中間變壓器一次側末端接地二次繞組開路、中間變壓器一次側末端懸空二次繞組開路、中間變壓器一次側末端二次繞組短路3種情況進行，試驗結果見表1、表2。

1．2　常規正接線及測量結果
　　常規正接線測量原理見圖2。試驗分中間變壓器一次側末端接地二次繞組開路、中間變壓器一次側末端接地二次繞組短路、中間變壓器一次側末端懸空二次繞組開路、中間變壓器一次側末端懸空二次繞組短路4種情況進行。試驗結果見表3。

1．3　自激法介損測量接線及測量結果
　　試驗采用HV9001智能電橋，試驗時拆除C2尾端與大地的連接線，試驗接線如圖3所示。由于本次所測35 kVCVT的高壓電容及低壓電容電容量均較大，受電橋容量限制，試驗時將2個二次繞組串聯激磁。測量結果見表4、表5。

2　影響測量結果的因素分析
2．1　中間變壓器的影響
　　采用常規反接線時，隨著接線方式的不同，測量結果差別很大。由表1、表2測量結果可知，二次開路X端懸空或接地時，都產生較大的正誤差，tgδ值為0．38％～0．55％?二次短路X端接地時，產生非常大的誤差，tgδ值達231．9％?二次短路X端懸空時，產生較小的正誤差，tgδ值為0．19％～0．33％。
　　以上測量誤差主要是由于存在中間變壓器造成的。圖1表明，流過測量橋臂R₃的電流為I₁，測量結果反映的是I₁與I_n夾角的大小。中間變壓器的存在，使I₁不再等于I₂，而是I₂與I₃的向量和，隨著大小和相角的不同，I₁與I_n夾角也不同，即tgδ不同。中間變壓器的等效電路如圖4所示。

　　圖4中L_b為中間變壓器激磁電感或漏感，C_b為中間變壓器一次對鐵芯、外殼、二次繞組的等值電容，R_b為中間變壓器總損耗的等效電阻。A、B兩點 之間的等效阻抗為：

（2）可知C₀為負值，等效為一電感，所以當X端接地時，不論二次開路還是短路，Z_AB呈感性。這樣，圖1（b）中I₃的相位落后于電壓U，使I_n與I₃夾角加大，即當X端接地時，不論二次開路還是短路都產生正誤差。當二次開路時，Z_AB的電抗主要由中間變壓器一次激磁電感決定?而當二次短路時，Z_AB的電抗主要由變壓器的漏感決定。由于中間變壓器漏抗比激磁阻抗小得多，即二次短路時的I₃幅值要大得多，因此X端接地時，不論二次開路還是短路都將產生難以接受的正誤差，二次短路比二次開路引起的正誤差要大得多，tgδ實測值達到231．9％。
　　b．X端懸空時，不論二次開路還是短路，在工頻情況下總能滿足式（2）中C₀為正值，即Z_AB呈容性，因為中間變壓器的tgδ一般大于電容器部分的tgδ，同時考慮到激磁感抗或漏抗與容抗的抵消作用，I₃支路的等效tgδ更大，此時圖1（b）所示I₃比I₂更落后，由此產生較大的正誤差。由于激磁感抗比漏抗抵消容抗的效果大得多，所以X端懸空時，二次開路比二次短路產生更大的測量正誤差，不能滿足工程要求?二次短路產生的誤差較小，C₂?C₁的值越大，誤差越小，35 kV比110 kV及以上電容式電壓互感器誤差要大。采用常規正接線和自激法測量時，中間變壓器對測量結果的影響參考文獻?1］已有分析，本文不再重復。

2．2　測量引線接觸狀況的影響
　　在進行35 kV電容式電壓互感器tgδ測量時，測量結果重復性較差，特別是測量引線接到生銹部位時tgδ明顯偏大，測量結果見表2、表5。為了分析誤差原因，引入圖5所示的串聯等值電路，圖中R_x為試品的等效串聯電阻，C_x為試品的等效串聯電容，R₀表示引線與試品之間的接觸電阻。

　　引線接觸良好時，相當于接觸電阻R₀非常小，可以忽略不計，由圖5可知，此時試品的tgδ為：
    tgδ＝ωR_x C_x（3）
    當引線接觸不良時，接觸電阻R0不能忽略不計，此時試品介損測量值tgδ₀為：
  
　　由式（3）、式（4）得出，測量引線接觸不良引起的介損測量誤差Δtgδ為：
 
　　由式（5）可知，引線接觸不良引起的tgδ測量誤差與試品的電容量及接觸狀況有關，試品的電容量越大，接觸電阻越大，測量誤差Δtgδ越大?反之越小。由表5測量結果可知Δtgδ≈0．2％，C_x≈40nF，經計算得接觸電阻R₀≈160Ω。

2．3　測量電壓的影響
　　用康申HV9001智能電橋，采用自激法測量35kV電容式電壓互感器tgδ時，由于激磁電流的限制（15?20 A），有時試驗電壓只能升到1 500 V，難以保證電橋的測量精度，致使測量結果出現較大誤差，有時出現負值。遇到這種情況，可以采用如圖3所示的試驗接線，將基本二次繞組和輔助二次繞組串聯起來激磁，以降低激磁電流，提高測量電壓，提高儀器的測量精度。在對微水電廠35 kV電容式電壓互感器進行tgδ測量時，由于測量電壓低，曾出現過tgδ測量值不穩或為負值的情況，后來采用基本二次繞組與輔助二次繞組串聯激磁，使測量電壓提高到2．5 kV，獲得了滿意的結果，詳見表4。

3　結論
　　a．參考文獻?1］中介紹的自激法是測量CVTtgδ較理想的方法，其測量結果zui真實準確。
　　b．采用常規反接線測量時，只有X端懸空、二次繞組短路接線方法的測量誤差較小，特別是C₂的電容量較C₁大得多時，測量誤差更小。
　　c．對于電容量較大的試品，測量引線接觸狀況對測量結果的影響較大，進行CVTtgδ測量時應引起注意。
　　d．采用自激法測量CVTtgδ時，測量電壓低，容易引起測量結果不穩定，有時會出現負值，采用基本二次繞組與輔助二次繞組串聯起來激磁的方法，可以解決激磁電流超標的問題。